Примечательно, что дополнительную информацию о планах Samsung Electronics по развитию своего производства в США сегодня первым опубликовало японское издание Nikkei Asian Review, а не американские СМИ, которые только начали просыпаться после выходных. По словам представителей Министерства торговли США, в рамках соглашения о субсидировании Samsung потратит на свои проекты на территории страны около $45 млрд, и построит в Тейлоре сразу два предприятия по контрактному выпуску чипов.

Первое, которое технически уже построено и готово к монтажу оборудования, сможет начать выпуск 4-нм продукции не ранее 2026 года, зато второе будет готово начать выпуск 2-нм изделий уже в 2027 году, хотя его ещё даже не начали строить. К тому же моменту у Samsung будет готов новый исследовательский центр в Техасе.

Важно отметить, что Samsung за счёт появления специализированного отдельного предприятия в Техасе сможет не только выпускать на территории США память типа HBM, но и интегрировать её с вычислительными компонентами сторонней разработки. То есть, память HBM будет упаковываться на одну подложку с теми же ускорителями NVIDIA на территории США, хотя пока этим занималась только компания TSMC на своих тайваньских предприятиях. По слухам, специалисты Samsung ездили на стажировку на Тайвань, чтобы перенять у TSMC соответствующий опыт и технологии. Обеспечив себя способностью выпускать ускорители вычислений по 2-нм технологии на территории США, власти страны сильно снизят зависимость от Тайваня в этой весьма чувствительной сфере.

Не забыли власти США и о действующих с 1996 года предприятиях Samsung в Остине. Они будут модернизированы, чтобы здесь можно было наладить выпуск чипов с использованием технологии FD-SOI по зрелой литографии, которые соответствовали бы требованиям некоторых оборонных заказчиков из США. Соответственно, модернизация и развитие коснутся обоих производственных кластеров Samsung на территории страны.