Компании Innovative Silicon (Isi), владеющая правами на технологию памяти высокой плотности Z-RAM, и Hynix Semiconductor подписали соглашение, в соответствии с которым Hynix получает возможность использовать технологию Z-RAM при разработке собственной памяти DRAM.
Память DRAM, основанная на применении технологии Z-RAM позволяет использовать лишь один транзистор для организации ячейки памяти вместо стандартной конструкции: комбинации из нескольких транзисторов и емкостных элементов. Такое нововведение при производстве DRAM-памяти является первым фундаментальным улучшением этого типа памяти с момента его изобретения в 70-х годах прошлого века.
Технология Z-RAM изначально разрабатывалась в качестве встроенной памяти для микропроцессоров, чипсетов для мобильных устройств и других микросхем. Ранее, лицензию на технологию Z-RAM получила компания AMD. Это произошло в декабре 2005 года с целью использовать ее в будущих процессорных архитектурах.
Представители компании ISi утверждают, что такая технология позволяет объединить скоростные преимущества SRAM-памяти и эффективное использование площади кристалла, характерное для DRAM-памяти. Таким образом, память, производимая с учетом технологии Z-RAM будет намного компактнее и дешевле в производстве.